🔥Samsung Electronics разработал новый чип памяти с высокой пропускной способностью, который имеет «самую высокую емкость на сегодняшний день» в отрасли

HBM3E 12H «повышает производительность и емкость более чем на 50%».

Поскольку приложения искусственного интеллекта растут в геометрической прогрессии, ожидается, что HBM3E 12H станет оптимальным решением для будущих систем.

Его более высокая производительность и емкость позволят клиентам более гибко управлять своими ресурсами и снизить совокупную стоимость владения центрами обработки данных.

Компания начала тестировать чип для клиентов, а массовое производство HBM3E 12H запланировано на первую половину 2024 года.

HBM3E 12H имеет 12-слойный пакет, но в нем применена усовершенствованная термокомпрессионная непроводящая пленка, которая позволяет 12-слойным продуктам иметь ту же высоту, что и 8-слойные, для удовлетворения текущих требований к упаковке HBM.

В результате получается чип, который обладает большей вычислительной мощностью, не увеличивая при этом свою физическую площадь.

«Samsung продолжает снижать толщину материала NCF и добился наименьшего в отрасли зазора между чипами в семь микрометров (мкм), одновременно устраняя пустоты между слоями».

«Эти усилия приводят к увеличению вертикальной плотности более чем на 20% по сравнению с продуктом HBM3 8H».

Samsung Electronics — крупнейший в мире производитель микросхем динамической оперативной памяти.

#ssnlf #005930_ks