> ВозмоТностСй Π² Telegram + ΠŸΠΎΡ€Ρ‚Ρ„Π΅Π»ΡŒ + Π‘Π΄Π΅Π»ΠΊΠΈ + ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€Ρ‹
27.02.2024

πŸ”₯Samsung Electronics Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‡ΠΈΠΏ памяти с высокой пропускной ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Β«ΡΠ°ΠΌΡƒΡŽ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° сСгодняшний дСнь» Π² отрасли

HBM3E 12H Β«ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 50%Β».

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ прилоТСния искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π° растут Π² гСомСтричСской прогрСссии, оТидаСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ HBM3E 12H станСт ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ для Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… систСм.

Π•Π³ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ позволят ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ своими рСсурсами ΠΈ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠ²ΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΡƒΡŽ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ владСния Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ….

Компания Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° Ρ‚Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡ΠΈΠΏ для ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Π° массовоС производство HBM3E 12H Π·Π°ΠΏΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρƒ 2024 Π³ΠΎΠ΄Π°.

HBM3E 12H ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ 12-слойный ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚, Π½ΠΎ Π² Π½Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π° ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½Π½Π°Ρ тСрмокомпрСссионная нСпроводящая ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°, которая позволяСт 12-слойным ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°ΠΌ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ‚Ρƒ ΠΆΠ΅ высоту, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ 8-слойныС, для удовлСтворСния Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΡ… Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΊ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ΅ HBM.

Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ получаСтся Ρ‡ΠΈΠΏ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ большСй Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π½Π΅ увСличивая ΠΏΡ€ΠΈ этом свою Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ.

Β«Samsung ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° NCF ΠΈ добился наимСньшСго Π² отрасли Π·Π°Π·ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‡ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ Π² сСмь ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² (ΠΌΠΊΠΌ), ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ устраняя пустоты ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ слоями».

Β«Π­Ρ‚ΠΈ усилия приводят ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ плотности Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 20% ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠΌ HBM3 8HΒ».

Samsung Electronics β€” ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ Π² ΠΌΠΈΡ€Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ микросхСм динамичСской ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ памяти.

#ssnlf #005930_ks